MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток700 V
Постоянный ток стока25 A
Сопротивление в открытом состоянии115 mΩМакс. · 15A
Пороговое напряжение2.4 VМакс. · 750μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Power Dissipation (Max) | 91W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Другое | |
| Base Product Number | MSC090 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 700 V |
| Mfr | Microchip Technology |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 15A, 20V |
| Series | - |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 750µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.