Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

MSD602-RT1G

ПроизводитсяSingle Bipolar TransistorsTO-236-3

TRANS NPN 50V 0.5A SC59

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер50 V
Ток коллектора500 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE120150mA
Мощность200 mWМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)500 mA
Power - Max200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition-
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSC-59
Другое
Base Product NumberMSD602
Mfronsemi
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 30mA, 300mA

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.