onsemiСША
MOSFET P-CH 30V 30A TO220-3
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока30 A
Сопротивление в открытом состоянии25 mΩМакс. · 19A
Пороговое напряжение2 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Другое | |
| Base Product Number | NDP603 |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 15 V |
| Mfr | onsemi |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 19A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |