MOSFET-P CHANNEL AMP/SW
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток25 V
Постоянный ток стока10 A
Сопротивление в открытом состоянии600 ΩМакс. · 0A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 10A
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package | Bag |
| Package / Case | TO-72-3 |
| Supplier Device Package | TO-72 |
| Другое | |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5000 pF @ 10 V |
| Mfr | NTE Electronics, Inc |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600Ohm @ 0A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 10A |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.