Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

NTLJS053N12MCLTAG

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs6-UDFN

PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток120 V
Постоянный ток стока4.5 A
Сопротивление в открытом состоянии53 mΩМакс. · 5.2A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 30μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)620mW (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package6-UDFN (2x2)
Другое
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds520 pF @ 60 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs53mOhm @ 5.2A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 30µA

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.