Поиск аналогов электронных компонентов
NTLJS3113PT1G
onsemiСША

NTLJS3113PT1G

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETs6-WDFN

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока3.5 A
Сопротивление в открытом состоянии40 mΩМакс. · 3A
Пороговое напряжение1 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Power Dissipation (Max)700mW (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package6-WDFN (2x2)
Другое
Base Product NumberNTLJS3113
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1329 pF @ 16 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 3A, 4.5V
SeriesµCool™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Изображения

Документы