Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

NTMFS005P03P8ZST1G

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs5-DFN

PT8P PORTFOLIO EXPANSION

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока15.3 A
Сопротивление в открытом состоянии2.7 mΩМакс. · 22A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)900mW (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Supplier Device Package5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Другое
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7880 pF @ 15 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7mOhm @ 22A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.