Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

NVMFS4C01NWFT1G

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs5-DFN

MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока49 ~ 319 A
Сопротивление в открытом состоянии900 µΩМакс. · 30A
Пороговое напряжение2.2 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C49A (Ta), 319A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)3.84W (Ta), 161W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
GradeAutomotive
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
QualificationAEC-Q101
Supplier Device Package5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Другое
Base Product NumberNVMFS4
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10144 pF @ 15 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.9mOhm @ 30A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Документы