DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение1.2 kV
Средний выпрямленный ток19 A
ТипSchottky
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 19A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 44 µA @ 650 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-252-2 |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Другое | |
| Mfr | PN Junction Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Series | P3D |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.