Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай
DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123HE
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение200 V
Средний выпрямленный ток2 A
Прямое падение напряжения930 mVМакс. · 2 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 200 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930 mV @ 2 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Grade | Automotive |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | SOD-123H |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Supplier Device Package | SOD-123HE |
| Другое | |
| Capacitance @ Vr, F | 31pF @ 4V, 1MHz |
| Mfr | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Series | - |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Technology | Standard |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.