Поиск аналогов электронных компонентов

RF1S9630SM

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-263AB

P-CHANNEL POWER MOSFET

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток200 V
Постоянный ток стока6.5 A
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Power Dissipation (Max)-
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-
PackageBulk
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageTO-263AB
Другое
FET Feature-
FET TypeP-Channel
MfrHarris Corporation
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-
Vgs(th) (Max) @ Id-

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.