Rohm SemiconductorЯпония
DIODE GEN PURP 200V 5A TO252GE
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение200 V
Средний выпрямленный ток5 A
Прямое падение напряжения980 mVМакс. · 5 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980 mV @ 5 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | TO-252GE |
| Другое | |
| Base Product Number | RFN5B |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Series | - |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Technology | Standard |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.