Поиск аналогов электронных компонентов
RN1105MFV,L3F

RN1105MFV,L3F

ПроизводитсяSingle, Pre-Biased Bipolar Transistors

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Power - Max150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseSOT-723
Supplier Device PackageVESM
Другое
Base Product NumberRN1105
MfrToshiba Semiconductor and Storage
Product StatusActive
Resistor - Base (R1)2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)47 kOhms
Series-
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 5mA

Изображения

Документы