Поиск аналогов электронных компонентов
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

S1B

ПроизводитсяSingle Diodes

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение100 V
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения1.1 VМакс. · 1 A
ТипStandardStandard Recovery >500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 100 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 1 A
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseDO-214AC, SMA
Supplier Device PackageDO-214AC (SMA)
Другое
Base Product NumberS1B
Capacitance @ Vr, F12pF @ 4V, 1MHz
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)1.5 µs
Series-
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Документы