Поиск аналогов электронных компонентов
S1DB
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

S1DB

ПроизводитсяSingle Diodes

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение200 V
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения1.1 VМакс. · 1 A
ТипStandardStandard Recovery >500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 1 A
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseDO-214AA, SMB
Supplier Device PackageDO-214AA (SMB)
Другое
Base Product NumberS1D
Capacitance @ Vr, F12pF @ 4V, 1MHz
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusActive
Series-
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Изображения

Документы