Rohm SemiconductorЯпония
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFP
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение650 V
Средний выпрямленный ток8 A
Прямое падение напряжения1.55 VМакс. · 8 A
ТипSchottky
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 160 µA @ 600 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55 V @ 8 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Supplier Device Package | TO-220ACFP |
| Другое | |
| Capacitance @ Vr, F | 291pF @ 1V, 1MHz |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Series | - |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.