Rohm SemiconductorЯпония
650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока118 A
Сопротивление в открытом состоянии22.1 mΩМакс. · 47A
Пороговое напряжение5.6 VМакс. · 23.5mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 118A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Power Dissipation (Max) | 427W |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Другое | |
| Base Product Number | SCT3017 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 172 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2884 pF @ 500 V |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.1mOhm @ 47A, 18V |
| Series | - |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 23.5mA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.