SN7002IXTSA1

在产单 FET,MOSFETPG-SOT-23-3

SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3

查看国产替代问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流200 mA
导通电阻5 Ω

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流200 mA
导通电阻5 Ω最大 · 500mA
阈值电压1.8 V最大 · 26μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)360mW (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackagePG-SOT-23-3
其他
Base Product NumberSN7002I
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds32 pF @ 30 V
MfrInfineon Technologies
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 26µA

技术资料

该型号暂未收录资料。