Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток600 V
Постоянный ток стока7.3 A
Сопротивление в открытом состоянии600 mΩМакс. · 4.6A
Пороговое напряжение3.9 VМакс. · 350μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Другое | |
| Base Product Number | SPD07N |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 25 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.6A, 10V |
| Series | CoolMOS™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |