Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока47 A
Сопротивление в открытом состоянии33 mΩМакс. · 33A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 2mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 175W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Другое | |
| Base Product Number | SPP47N |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 25 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 33A, 10V |
| Series | SIPMOS® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |