STB18NM80

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsD²PAK

MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK

Все аналоги

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток800 V

Постоянный ток стока17 A

Сопротивление в открытом состоянии295 mΩМакс. · 8.5A

Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Power Dissipation (Max)	190W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263)
Другое
Base Product Number	STB18
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2070 pF @ 50 V
Mfr	STMicroelectronics
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	295mOhm @ 8.5A, 10V
Series	MDmesh™
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA