STB200N4F3

STB200N4F3

停产单 FET,MOSFETD2PAK

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

沟道N 沟道
耐压40 V
连续漏极电流120 A
导通电阻4 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压40 V
连续漏极电流120 A
导通电阻4 mΩ最大 · 80A
阈值电压4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)300W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageD2PAK
其他
Base Product NumberSTB200N
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5100 pF @ 25 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 80A, 10V
SeriesSTripFET™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

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