Поиск аналогов электронных компонентов
STB20N65M5
STMicroelectronicsШвейцария

STB20N65M5

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsD²PAK

MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока18 A
Сопротивление в открытом состоянии190 mΩМакс. · 9A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)130W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageD²PAK (TO-263)
Другое
Base Product NumberSTB20
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1434 pF @ 100 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 9A, 10V
SeriesMDmesh™ V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Изображения

Документы