STB35NF10T4

STB35NF10T4

停产单 FET,MOSFETD2PAK

MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流40 A
导通电阻35 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流40 A
导通电阻35 mΩ最大 · 17.5A
阈值电压4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)115W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageD2PAK
其他
Base Product NumberSTB35N
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1550 pF @ 25 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 17.5A, 10V
SeriesSTripFET™ II
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

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