Поиск аналогов электронных компонентов
STB55NF06T4
STMicroelectronicsШвейцария

STB55NF06T4

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsD2PAK

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока50 A
Сопротивление в открытом состоянии18 mΩМакс. · 27.5A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)110W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageD2PAK
Другое
Base Product NumberSTB55
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 25 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 27.5A, 10V
SeriesSTripFET™ II
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Изображения

Документы