STMicroelectronicsШвейцария
MOSFET N-CH 525V 6A D2PAK
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток525 V
Постоянный ток стока6 A
Сопротивление в открытом состоянии980 mΩМакс. · 3.1A
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 50μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 525 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | TO-263 (D2PAK) |
| Другое | |
| Base Product Number | STB7N |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 737 pF @ 100 V |
| Mfr | STMicroelectronics |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980mOhm @ 3.1A, 10V |
| Series | SuperMESH3™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |