Поиск аналогов электронных компонентов
STD7N60DM2
STMicroelectronicsШвейцария

STD7N60DM2

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-252-3

MOSFET N-CH 600V 6A DPAK

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток600 V
Постоянный ток стока6 A
Сопротивление в открытом состоянии900 mΩМакс. · 3A
Пороговое напряжение4.75 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)60W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageD-PAK (TO-252)
Другое
Base Product NumberSTD7N60
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds324 pF @ 100 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 3A, 10V
SeriesMDmesh™ DM2
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Изображения

Документы