STF5N60M2

STF5N60M2

在产单 FET,MOSFETTO-220FP

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP

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沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流3.7 A
导通电阻1.4 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流3.7 A
导通电阻1.4 Ω最大 · 1.85A
阈值电压4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)20W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Supplier Device PackageTO-220FP
其他
Base Product NumberSTF5N60
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds165 pF @ 100 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 1.85A, 10V
SeriesMDmesh™ II Plus
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

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