沟道N 沟道
耐压800 V
连续漏极电流9 A
导通电阻600 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压800 V
连续漏极电流9 A
导通电阻600 mΩ最大 · 4.5A
阈值电压5 V最大 · 100μA
| 电源 | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| 环境与封装 | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| 其他 | |
| Base Product Number | STP10 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 635 pF @ 100 V |
| Mfr | STMicroelectronics |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.5A, 10V |
| Series | MDmesh™ K5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
器件图片
技术资料
数据手册数据手册 · 603.3 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 2.7 MB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 1.9 MB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 1.8 MB · 2026-09-22用户手册用户手册 · 1.5 MB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 1.1 MB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 980.7 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 896.9 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 880.0 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 772.3 KB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 764.5 KB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 756.4 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 657.7 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 347.0 KB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 305.2 KB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 215.1 KB · 2026-09-22
进入资料中心