STMicroelectronicsШвейцария

STP18N65M5

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-220

MOSFET N-CH 650V 15A TO220

Подобрать аналог Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток650 V

Постоянный ток стока15 A

Сопротивление в открытом состоянии220 mΩМакс. · 7.5A

Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Power Dissipation (Max)	110W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Supplier Device Package	TO-220
Другое
Base Product Number	STP18
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1240 pF @ 100 V
Mfr	STMicroelectronics
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220mOhm @ 7.5A, 10V
Series	MDmesh™ V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

Документы

DatasheetDatasheet · 949.0 KB · 2026-09-21 DatasheetDatasheet · 949.0 KB · 2026-09-21 Application NoteApplication Note · 2.7 MB · 2026-09-22 Application NoteApplication Note · 1.8 MB · 2026-09-22 User ManualUser Manual · 1.5 MB · 2026-09-22 Application NoteApplication Note · 1.4 MB · 2026-09-22 Application NoteApplication Note · 1.1 MB · 2026-09-22 MarketingMarketing · 980.7 KB · 2026-09-22 Application NoteApplication Note · 896.9 KB · 2026-09-22 Application NoteApplication Note · 880.0 KB · 2026-09-22 MarketingMarketing · 791.7 KB · 2026-09-22 MarketingMarketing · 787.0 KB · 2026-09-22 Application NoteApplication Note · 772.3 KB · 2026-09-22 MarketingMarketing · 764.5 KB · 2026-09-22 Application NoteApplication Note · 657.7 KB · 2026-09-22 Application NoteApplication Note · 347.0 KB · 2026-09-22 MarketingMarketing · 305.2 KB · 2026-09-22 MarketingMarketing · 203.5 KB · 2026-09-22 MarketingMarketing · 109.3 KB · 2026-09-22

Центр документации