STMicroelectronicsШвейцария
MOSFET N-CH 200V 19A TO220AB
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток200 V
Постоянный ток стока19 A
Сопротивление в открытом состоянии180 mΩМакс. · 9.5A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Другое | |
| Base Product Number | STP19N |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Mfr | STMicroelectronics |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 9.5A, 10V |
| Series | PowerMESH™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |