STP8N120K5

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-220

MOSFET N-CH 1200V 6A TO220

Все аналоги

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток1.2 kV

Постоянный ток стока6 A

Сопротивление в открытом состоянии2 ΩМакс. · 2.5A

Пороговое напряжение5 VМакс. · 100μA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Power Dissipation (Max)	130W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Supplier Device Package	TO-220
Другое
Base Product Number	STP8N120
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	505 pF @ 100 V
Mfr	STMicroelectronics
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 2.5A, 10V
Series	MDmesh™ K5
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 100µA