Поиск аналогов электронных компонентов
STMicroelectronicsШвейцария

STP9N65M2

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-220

MOSFET N-CH 650V 5A TO220

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока5 A
Сопротивление в открытом состоянии900 mΩМакс. · 2.5A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)60W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220
Другое
Base Product NumberSTP9N65
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds315 pF @ 100 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 2.5A, 10V
SeriesMDmesh™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Документы