Поиск аналогов электронных компонентов
STS20N3LLH6
STMicroelectronicsШвейцария

STS20N3LLH6

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETs8-SOIC

MOSFET N-CH 30V 20A 8SO

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока20 A
Сопротивление в открытом состоянии4.7 mΩМакс. · 10A
Пороговое напряжение1 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.7W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC
Другое
Base Product NumberSTS20
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1690 pF @ 25 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 10A, 10V
SeriesDeepGATE™, STripFET™ VI
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Изображения

Документы