MOSFET N-CH 600V 12A TO247
沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流12 A
导通电阻295 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流12 A
导通电阻295 mΩ最大 · 6A
阈值电压5 V最大 · 250μA
| 电源 | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| 环境与封装 | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| 其他 | |
| Base Product Number | STW18 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 100 V |
| Mfr | STMicroelectronics |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 6A, 10V |
| Series | MDmesh™ DM2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
技术资料
数据手册数据手册 · 562.1 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 2.7 MB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 1.8 MB · 2026-09-22用户手册用户手册 · 1.5 MB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 1.4 MB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 1.1 MB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 1013.0 KB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 980.7 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 896.9 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 880.0 KB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 791.7 KB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 787.0 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 772.3 KB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 764.5 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 657.7 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 622.2 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 446.8 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 347.0 KB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 305.2 KB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 203.5 KB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 109.3 KB · 2026-09-22
进入资料中心