DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение100 V
Средний выпрямленный ток6 A
Прямое падение напряжения925 mVМакс. · 6 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 925 mV @ 6 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | B, Axial |
| Supplier Device Package | B, Axial |
| Другое | |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mfr | Microchip Technology |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Series | - |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Technology | Standard |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.