UES706E3

UES706E3

在产单二极管

DIODE GEN PURP 400V 20A DO203AA

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反向耐压400 V
平均整流电流20 A
正向压降1.25 V
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技术参数

反向耐压400 V
平均整流电流20 A
正向压降1.25 V最大 · 20 A
类型标准Fast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
电源
Current - Average Rectified (Io)20A
Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 400 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 20 A
环境与封装
Mounting TypeStud Mount
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
PackageBulk
Package / CaseDO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device PackageDO-203AA (DO-4)
其他
Capacitance @ Vr, F-
MfrMicrochip Technology
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
Series-
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

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