MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока800 mA
Сопротивление в открытом состоянии235 mΩМакс. · 800mA
Пороговое напряжение1 VМакс. · 1mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Supplier Device Package | SSM |
| Другое | |
| Base Product Number | SSM3K56 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 55 pF @ 10 V |
| Mfr | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235mOhm @ 800mA, 4.5V |
| Series | U-MOSVII-H |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.