UT3N06L-AE3-R-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOT23；N—Channel沟道,60V；4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
耐压60 V
连续漏极电流4 A
导通电阻86 mΩ
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耐压60 V
连续漏极电流4 A
导通电阻86 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1.66W |