搜索结果:DMC3025LSD(TP)

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对比产品型号品牌分类产品描述技术资料替代操作
晶体管 - FET,MOSFET - 单

特性:N沟道:VDS = 30V,ID = 8.0A。 RDS(ON) = 17mΩ(VGS = 10V时)。 RDS(ON) = 24mΩ(VGS = 4.5V时)。P沟道:VDS = -30V,ID = -6A。 RDS(ON) = 40mΩ(VGS = -10V时)。 RDS(ON) = 60mΩ(VGS = -4.5V时)。应用:PWM应用。DC电机

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