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MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3

MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

SOT-23 MOSFETS ROHS

场效应管

该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，额定电流3A。具有低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效、节能的功率控制与管理。

MOS · 中低压 沟槽Trench MOS

MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23

P沟道，-20V，-2.3A，90mΩ@-4.5V,-2.3A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A适用于电源开关和信号控制

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。