搜索结果：UT3N06G-AE3-R
共 2 条- 匹配型号2
- 有数据手册2
- 涉及品牌2
产品搜索结果共 2 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | N沟道,60V,3A,90mΩ@10V | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。SOT23；N—Channel沟道,60V；4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V； | 数据手册1 | 查看详情 |
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