搜索结果：UTD408L-TN3-R
共 2 条- 匹配型号2
- 有数据手册2
- 涉及品牌2
产品搜索结果共 2 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | N沟道,30V,18A,27mΩ@4.5V | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V； | 数据手册1 | 查看详情 |
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