Results forAOD512

MOSFET N-CH 30V 27A/70A TO252

该N沟道场效应管漏极电流达150安培，漏源击穿电压30伏，导通电阻仅1.5毫欧，栅源电压耐受值为20伏。器件凭借极低内阻与大电流承载能力，适用于高密度电源转换、服务器供电模块及大功率电池管理系统。在需要高效能切换的直流负载场景中，其低损耗特性显著降低温升，满足高性能计算设备对稳定供电与紧凑散热的严苛要求。