Results forRFD3055LE

MOSFET N-CH 60V 11A IPAK

MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA

MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA

MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA

【联系：sales@hxymos.com】这款N沟道场效应管专为中功率应用设计，其漏源击穿电压为60V，能够稳定处理8A的连续负载电流。在导通特性上，该器件表现出88mΩ的电阻值，配合±20V的栅源电压耐受范围，使其在电路设计中具备良好的驱动兼容性。 该器件常见于各类电源转换模块，负责高效的电能切换与传输；在直流电机控制系统中，它能够精准响应PWM信号，实现对转速的平稳调节；此外，在电池供电的便携式设备中，它常被用于电源路径管理，确保能量在不同回路间安全流转。

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较大的电压容忍度，可提供良好的电路灵活性。适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。TO251；N—Channel沟道,60V；35A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA

MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA

MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA

TRANS MOSFET N-CH 60V 11A 3PIN(3

RFD3055LE_R4821

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

这款N沟道场效应管在60V耐压平台下实现了优秀的能效平衡。其88mΩ的导通电阻配合8A的连续漏极电流，能够有效抑制大电流工况下的热损耗，配合20V的栅极驱动能力，确保了开关动作的精准与稳定。 它非常适合应用于各类DC-DC转换电路、开关电源及电机驱动模块中。作为主开关管或同步整流管，它能从容应对中压系统的功率切换需求，在保证电路可靠性的同时，显著提升整体能源转换效率。

为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计，具备低导通电阻及卓越的开关性能，是各类中低压电路的理想选择，有效提升系统能效并确保稳定运行。