Отчёт о замене

UTD351LAE3-R-VB аналоги из Китая и другие замены

Исходный

VBsemiUTD351LAE3-R-VB

导通电阻(RDS(on))33mΩ@4.5VКоличество1个N沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)6.5A