Поиск аналогов электронных компонентов

2DB1132P

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
IC-最大集电极电流1A
VCEO-集射级击穿电压32V
Характеристики по постоянному и переменному току
fT-变换频率190MHZ
hFE-最小直流增益82
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1SOT89
最大工作温度150℃
Другое
Pd-功率耗散1W
VCE(sat)-集射级饱和压降0.5V
引脚数量13

Документы