Поиск аналогов электронных компонентов

2N2913

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - Arrays

TO 78 DUAL SILICON TRANSISTORS N

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Collector Cutoff (Max)2nA
Current - Collector (Ic) (Max)30mA
Power - Max500mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce150 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition-
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-
PackageBulk
Package / CaseTO-78-6 Metal Can
Supplier Device PackageTO-78
Другое
MfrSolid State Inc.
Product StatusActive
Series-
Transistor Type2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic350mV @ 100µA, 1mA

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.