POWER BJT
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер80 V
Ток коллектора2 AМакс.
Мощность35 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Power - Max | 35 W |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Frequency - Transition | - |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Stud Mount |
| Operating Temperature | -65°C~200°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-210AA, TO-59-4, Stud |
| Supplier Device Package | TO-59 |
| Другое | |
| Mfr | Microchip Technology |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 850mV @ 200µA, 1mA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.