POWER BJT
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер80 V
Ток коллектора10 AМакс.
Мощность115 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Power - Max | 115 W |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Frequency - Transition | - |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Stud Mount |
| Operating Temperature | - |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud |
| Supplier Device Package | TO-61 |
| Другое | |
| Mfr | Microchip Technology |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.